
ACNU-3430-500E
Mô tả
Thông số kỹ thuật
Trình điều khiển cổng ghép quang ACNU{0}}E là thiết bị linh hoạt và hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp. Nó cung cấp dòng điện đầu ra tối đa là 5,0A, đường rò 11-mm và khoảng hở 10,5-mm để đảm bảo an toàn, điện áp đầu ra giữa các đường ray để đảm bảo tính linh hoạt và UVLO với tham chiếu VE để đảm bảo độ tin cậy. Với độ trễ truyền tối đa là 150 ns và Loại bỏ chế độ chung (CMR) cao, nó đảm bảo chuyển đổi chính xác và đồng bộ trong môi trường ồn ào. Ngoài ra, nó còn có đầu vào dòng LED có độ trễ, dòng điện cung cấp thấp và dải điện áp hoạt động rộng từ 15V đến 30V. Phạm vi nhiệt độ công nghiệp từ -40 độ đến 110 độ và việc tuân thủ các tiêu chuẩn an toàn khiến nó trở thành lựa chọn đáng tin cậy cho các ứng dụng điện tử công suất.

Những sảm phẩm tương tự:
|
Phần MFR |
ACNU-3430-000E |
ACNU-3430-500E |
|
Sự miêu tả |
TRÌNH ĐIỀU KHIỂN MOSFET OPTOISO IGBT |
TRÌNH ĐIỀU KHIỂN MOSFET OPTOISO IGBT |
|
Cổ phần |
50000 |
50000 |
|
trạng thái sản phẩm |
Tích cực |
Tích cực |
|
Công nghệ |
Khớp nối quang |
Khớp nối quang |
|
số kênh |
1 |
1 |
|
Điện áp - Cách ly |
5000Vrms |
5000Vrms |
|
Chế độ chung Miễn dịch thoáng qua (Tối thiểu) |
100kV/μs |
100kV/μs |
|
Độ trễ lan truyền tpLH / tpHL (Tối đa) |
150ns, 150ns |
150ns, 150ns |
|
Độ méo độ rộng xung (Tối đa) |
80 giây |
80 giây |
|
Hiện tại - Đầu ra Cao, Thấp |
4A, 4A |
4A, 4A |
|
Hiện tại - Sản lượng đỉnh |
4A |
4A |
|
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Typ) |
1.45V |
1.45V |
|
Hiện tại - Chuyển tiếp DC (Nếu) (Tối đa) |
25mA |
25mA |
|
Điện áp - Nguồn cung cấp đầu ra |
15 V ~ 30 V |
15 V ~ 30 V |
|
Nhiệt độ hoạt động |
-40 độ ~ 110 độ |
-40 độ ~ 110 độ |
|
Gói / Thùng |
WSOP8(9.6x1.27) |
WSOP8(9.6x1.27) |
|
Bưu kiện |
Băng & Cuộn (TR) |
Băng & Cuộn (TR) |
Các ứng dụng :
·Ổ đĩa cổng IGBT/MOSFET
·Bộ điều khiển động cơ AC và DC không chổi than
·Bộ biến tần năng lượng tái tạo
·Biến tần công nghiệp
· Chuyển đổi nguồn điện
Sự miêu tả :
Broadcom® ACNU-3430 là thiết bị ghép quang dẫn động cổng 5A trong gói 11-mm SSO8 được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp có điện áp cao, bị giới hạn về không gian, bao gồm cả bộ truyền động động cơ và bộ biến tần năng lượng mặt trời. Nền tảng gói này có đường rò rộng 11-mm và khoảng hở 10,5-mm, điện áp cách điện cao của VIORM=1414 VPEAK và kích thước gói nhỏ gọn, nhỏ hơn 40% so với 400- gói mil DIP-8. ACNU{13}} có khả năng miễn nhiễm nhất thời chế độ chung (CMTI) lớn hơn 100 kV/µs và độ trễ truyền nhanh hơn 150 ns, cho phép chuyển đổi tần số cao để cải thiện hiệu quả trong việc điều khiển IGBT và SiC/GaN MOSFET.
THẬN TRỌNG! Thực hiện các biện pháp phòng ngừa tĩnh điện thông thường khi xử lý và lắp ráp bộ phận này để tránh hư hỏng, xuống cấp hoặc cả hai hiện tượng có thể do ESD gây ra. Các thành phần nêu trong bảng dữ liệu này không được sử dụng trong các ứng dụng hoặc môi trường quân sự hoặc hàng không vũ trụ.
Chú phổ biến: acnu-3430-500e, nhà sản xuất, nhà cung cấp acnu-3430-500e Trung Quốc
Một cặp
ACNW3130-500ETiếp theo
ACNU-3410-500EGửi yêu cầu
Bạn cũng có thể thích







