NCV57256DR2G

NCV57256DR2G cung cấp khả năng dòng điện đầu ra cực đại tuyệt vời, khả năng cấu hình cho hoạt động của trình điều khiển phía thấp, phía cao hoặc nửa cầu và khả năng kiểm soát chồng chéo hoặc thời gian chết có thể lập trình để chuyển đổi chính xác. Thiết lập nửa cầu được đơn giản hóa với chốt vô hiệu hóa để sắp xếp trình tự nguồn và chức năng ANB để sắp xếp trình tự nguồn, tăng cường khả năng kiểm soát và bảo mật hệ thống. Ngoài ra, nó còn cung cấp khả năng kẹp cổng IGBT/MOSFET trong thời gian ngắn mạch, đảm bảo bảo vệ thiết bị. Trình điều khiển có độ trễ lan truyền ngắn, ngưỡng UVLO chặt chẽ và khả năng cách ly điện mạnh, khiến nó phù hợp để sử dụng với NCV57256DR2G. Nó đạt tiêu chuẩn AEC-Q100 để sử dụng trong ô tô và thân thiện với môi trường, tuân thủ RoHS. Nói chung, NCV57256DR2G kết hợp sức mạnh và độ chính xác, khiến nó trở thành sự lựa chọn tuyệt vời cho nhiều ứng dụng điện tử công suất.

• Bộ sạc xe điện

• Điều khiển động cơ

• Nguồn cung cấp điện liên tục (UPS)

• Nguồn điện công nghiệp

• Biến tần năng lượng mặt trời

• Ứng dụng ô tô

NCx5725y là trình điều khiển cổng IGBT/MOSFET cách ly hai kênh dòng điện cao với khả năng cách ly điện bên trong 2,5 hoặc 5 kVrms* từ đầu vào đến từng đầu ra và cách ly chức năng giữa hai kênh đầu ra. Thiết bị chấp nhận mức tín hiệu và điện áp phân cực 3,3 V đến 20 V ở phía đầu vào và điện áp phân cực lên đến 32 V ở phía đầu ra. Thiết bị chấp nhận các đầu vào bổ sung và cung cấp các chân riêng biệt để điều khiển Tắt và Thời gian chết để thuận tiện cho thiết kế hệ thống. Trình điều khiển có sẵn trong gói SOIC−16 thân rộng và gói SOIC−16 thân hẹp.

Chú phổ biến: ncv57256dr2g, nhà sản xuất, nhà cung cấp ncv57256dr2g của Trung Quốc