NCD57256DR2G

NCD57256DR2G có thể được cấu hình thành trình điều khiển hai bên thấp, hai bên cao hoặc nửa cầu để nâng cao khả năng thích ứng. Các tùy chọn điều khiển có thể lập trình, bao gồm điều khiển chồng chéo và thời gian chết, cho phép vận hành chuyển mạch chính xác. Thiết bị này cũng bao gồm một chốt vô hiệu hóa để sắp xếp trình tự nguồn điện và tính năng ANB để đơn giản hóa cấu hình nửa cầu. Nó ưu tiên sự an toàn với khả năng kẹp cổng IGBT/MOSFET và ngưỡng UVLO chặt chẽ khi xảy ra đoản mạch. Cách ly điện 2,5 hoặc 5 kVrms tuyệt vời đảm bảo hiệu suất mạnh mẽ trong các ứng dụng điện áp cao. Ngoài ra, nó còn lý tưởng cho các ứng dụng ô tô, tuân thủ AEC-Q100 và có khả năng PPAP. Cuối cùng, sự tuân thủ về môi trường của nó như một thiết bị không chứa chì, không chứa halogen/không chứa chất chống cháy bromin và tuân thủ RoHS khiến nó trở thành một lựa chọn thân thiện với môi trường. Tóm lại, trình điều khiển cổng NCD57256DR2G cung cấp tính linh hoạt, hiệu suất và độ an toàn tuyệt vời cho nhiều ứng dụng.

• Bộ sạc xe điện

• Điều khiển động cơ

• Nguồn cung cấp điện liên tục (UPS)

• Nguồn điện công nghiệp

• Biến tần năng lượng mặt trời

• Ứng dụng ô tô

NCx5725y là trình điều khiển cổng IGBT/MOSFET cách ly hai kênh dòng điện cao với khả năng cách ly điện bên trong 2,5 hoặc 5 kVrms* từ đầu vào đến từng đầu ra và cách ly chức năng giữa hai kênh đầu ra. Thiết bị chấp nhận mức tín hiệu và điện áp phân cực 3,3 V đến 20 V ở phía đầu vào và điện áp phân cực lên đến 32 V ở phía đầu ra. Thiết bị chấp nhận các đầu vào bổ sung và cung cấp các chân riêng biệt để điều khiển Tắt và Thời gian chết để thuận tiện cho thiết kế hệ thống. Trình điều khiển có sẵn trong gói SOIC−16 thân rộng và gói SOIC−16 thân hẹp.

Chú phổ biến: ncd57256dr2g, nhà sản xuất, nhà cung cấp ncd57256dr2g của Trung Quốc