TLP5832(TP,E
Mô tả
Thông số kỹ thuật
Trình điều khiển cổng ghép quang TLP5832 TP, E là thiết bị hiệu suất cao được thiết kế cho các hệ thống điện tử hiện đại. Với cấu hình đầu ra cực vật tổ, nó cung cấp giao diện mạnh mẽ với các linh kiện điện tử. Các tính năng đáng chú ý bao gồm dòng điện đầu ra cực đại ±2,5 A, dải nhiệt độ hoạt động từ -40 đến 110 độ, dòng điện cung cấp thấp 3 mA và dải điện áp cung cấp linh hoạt từ 15 đến 30 V. Hiệu suất của trình điều khiển được đánh dấu bằng dòng điện đầu vào ngưỡng là 5 mA và thời gian trễ lan truyền nhanh là 200 ns. Ngoài ra, khả năng phục hồi của nó được thể hiện thông qua khả năng miễn nhiễm nhất thời ở chế độ chung ±20 kV/μs và điện áp cách ly cao 5000 Vrms, đảm bảo vận hành đáng tin cậy và an toàn trong nhiều ứng dụng khác nhau.
Những sảm phẩm tương tự:
|
Phần MFR |
TLP5832 |
TLP5832(D{1}}TP,E |
TLP5832(TP,E |
|
Sự miêu tả |
TRÌNH ĐIỀU KHIỂN MOSFET OPTOISO IGBT |
TRÌNH ĐIỀU KHIỂN MOSFET OPTOISO IGBT |
TRÌNH ĐIỀU KHIỂN MOSFET OPTOISO IGBT |
|
Cổ phần |
50000 |
50000 |
50000 |
|
trạng thái sản phẩm |
Tích cực |
Tích cực |
Tích cực |
|
Công nghệ |
Khớp nối quang |
Khớp nối quang |
Khớp nối quang |
|
số kênh |
1 |
1 |
1 |
|
Điện áp - Cách ly |
5000Vrms |
5000Vrms |
5000Vrms |
|
Chế độ chung Miễn dịch thoáng qua (Tối thiểu) |
20kV/μs |
20kV/μs |
20kV/μs |
|
Độ trễ lan truyền tpLH / tpHL (Tối đa) |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
|
Độ méo độ rộng xung (Tối đa) |
50 giây |
50 giây |
50 giây |
|
Hiện tại - Đầu ra Cao, Thấp |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
|
Hiện tại - Sản lượng đỉnh |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
|
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Typ) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
|
Hiện tại - Chuyển tiếp DC (Nếu) (Tối đa) |
20mA |
20mA |
20mA |
|
Điện áp - Nguồn cung cấp đầu ra |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
|
Nhiệt độ hoạt động |
-40 độ ~ 110 độ |
-40 độ ~ 110 độ |
-40 độ ~ 110 độ |
|
Gói / Thùng |
WSOP8(7.5x1.27) |
WSOP8(7.5x1.27) |
WSOP8(7.5x1.27) |
|
Bưu kiện |
Băng & Cuộn (TR) |
Băng & Cuộn (TR) |
Băng & Cuộn (TR) |
Các ứng dụng:
• Biến tần công nghiệp
• Biến tần điều hòa
• Bếp từ và thiết bị gia dụng
• Trình điều khiển cổng MOSFET
• Trình điều khiển cổng IGBT
Tổng quan:
TLP5832 là bộ ghép quang trong gói SO8L chân 8- bao gồm đi-ốt phát quang hồng ngoại GaA ℓAs (LED) được ghép nối quang học với chip IC bộ tách sóng quang tốc độ cao, độ lợi cao tích hợp. Nó cung cấp hiệu suất và thông số kỹ thuật được đảm bảo ở nhiệt độ lên tới 110 độ.
TLP5832 về mặt vật lý nhỏ hơn/mỏng hơn so với gói trong gói DIP chân cắm 8- và tuân thủ các tiêu chuẩn an toàn quốc tế về lớp cách điện tăng cường. Do đó, nó cung cấp giải pháp chiếm diện tích nhỏ hơn cho các ứng dụng yêu cầu chứng nhận tiêu chuẩn an toàn. Tấm chắn nhiễu bên trong cung cấp khả năng miễn nhiễm nhất thời ở chế độ chung được đảm bảo là ±20 kV/ µs.
TLP5832 lý tưởng cho ổ đĩa cổng MOSFET công suất và IGBT loại nhỏ đến trung bình.
Chú phổ biến: tlp5832(tp,e, China tlp5832(tp,e nhà sản xuất, nhà cung cấp
Một cặp
TLP700AF(TP,FTiếp theo
TLP5774(TP,EGửi yêu cầu
Bạn cũng có thể thích
