
SI823H8BD-IS3R
Mô tả
Thông số kỹ thuật
SI823H8BD-IS3R vượt trội trong việc mang lại hiệu suất cao và hoạt động đáng tin cậy với các tính năng như trình điều khiển cách ly đơn hoặc kép, cách ly lên đến 5 kVRMS và 4.0 Đầu ra cực đại nguồn/bô. Các tùy chọn an toàn nâng cao, bao gồm chân EN và chân DIS, cải thiện hơn nữa tính phù hợp của nó cho nhiều ứng dụng. Khả năng thích ứng của ổ đĩa được nhấn mạnh bởi tính sẵn có của nó trong các phiên bản trình điều khiển kép và điều khiển kép để phù hợp với nhiều yêu cầu hệ thống. Được thiết kế tập trung vào độ tin cậy, SI823H8BD-IS3R cung cấp khả năng miễn nhiễm điện từ cao, độ trễ lan truyền tối đa 30 ns và khả năng miễn nhiễm nhất thời ấn tượng. Phạm vi nhiệt độ rộng từ –40 đến +125 độ, tuân thủ RoHS và chứng nhận cấp độ ô tô khiến nó trở thành lựa chọn mẫu mực cho các ứng dụng công nghiệp và ô tô, thiết lập tiêu chuẩn mới trong công nghệ điều khiển cổng cách ly.

Những sảm phẩm tương tự:
|
Phần MFR |
SI823H8BD-AS3 |
SI823H8BD-AS3R |
SI823H8BD-IS3 |
SI823H8BD-IS3R |
|
Sự miêu tả |
Đầu ghi hình DGTL ISO GATE |
Đầu ghi hình DGTL ISO GATE |
Đầu ghi hình DGTL ISO GATE |
Đầu ghi hình DGTL ISO GATE |
|
Cổ phần |
30000 |
30000 |
30000 |
30000 |
|
trạng thái sản phẩm |
Tích cực |
Tích cực |
Tích cực |
Tích cực |
|
Công nghệ |
Khớp nối điện dung |
Khớp nối điện dung |
Khớp nối điện dung |
Khớp nối điện dung |
|
số kênh |
2 |
2 |
2 |
2 |
|
Cách ly điện áp |
2500Vrms |
2500Vrms |
2500Vrms |
2500Vrms |
|
Chế độ chung Miễn dịch thoáng qua (Tối thiểu) |
125kV/chúng tôi |
125kV/chúng tôi |
125kV/chúng tôi |
125kV/chúng tôi |
|
Độ trễ lan truyền tpLH / tpHL (Tối đa) |
30ns, 58ns |
30ns, 58ns |
30ns, 58ns |
30ns, 58ns |
|
Hiện tại - Đầu ra Cao, Thấp |
4A, 4A |
4A, 4A |
4A, 4A |
4A, 4A |
|
Cung cấp điện áp |
8V ~ 30V |
8V ~ 30V |
8V ~ 30V |
8V ~ 30V |
|
Nhiệt độ hoạt động |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
|
Gói / Thùng |
WSOP14 |
WSOP14 |
WSOP14 |
WSOP14 |
|
Bưu kiện |
Băng & Cuộn (TR) |
Băng & Cuộn (TR) |
Băng & Cuộn (TR) |
Băng & Cuộn (TR) |
Ứng dụng công nghiệp:
• Hệ thống cung cấp điện
• Hệ thống điều khiển động cơ
• Nguồn điện dc-dc cách ly
• Hệ thống điều khiển chiếu sáng
• Biến tần năng lượng mặt trời và công nghiệp
Ứng dụng ô tô:
• Bộ sạc trên máy bay
• Hệ thống quản lý pin
• Trạm sạc
• Bộ biến tần lực kéo
• Xe hybrid điện
• Xe điện chạy ắc quy
MÔ TẢ CHUNG:
Si823Hx kết hợp hai trình điều khiển cổng biệt lập thành một gói duy nhất cho các ứng dụng công suất cao. Si823Hx bao gồm các thiết bị có đầu vào điều khiển đơn hoặc kép với đầu ra độc lập hoặc phía cao/phía thấp. Các trình điều khiển này có thể hoạt động với VDD đầu vào 3.0 – 5,5 V và điện áp cung cấp ổ đĩa tối đa là 30 V.
Si823Hx lý tưởng để điều khiển MOSFET công suất và IGBT được sử dụng trong nhiều ứng dụng điều khiển động cơ và nguồn chuyển mạch. Các trình điều khiển này sử dụng công nghệ cách ly silicon độc quyền của Skyworks, hỗ trợ lên đến 5 kVRMS cho điện áp cách ly 1 phút. Công nghệ này cho phép CMTI cao (125 kV/µs), độ trễ và độ lệch truyền thấp hơn, ít biến đổi theo nhiệt độ và tuổi thọ cũng như độ khớp giữa các bộ phận thấp.
Kiến trúc độc đáo của giai đoạn đầu ra có thiết bị tăng áp cung cấp khả năng kéo lên cao hơn ở vùng cao nguyên Miller của công tắc nguồn tải để hỗ trợ thời gian bật nhanh hơn. Dòng trình điều khiển này cũng cung cấp một số tính năng độc đáo như bảo vệ quá nhiệt, phát hiện lỗi Khóa điện áp đầu ra (UVLO), khả năng lập trình thời gian chết và trình điều khiển không an toàn với mức mặc định ở mức thấp trong trường hợp mất nguồn điện phía đầu vào. Dòng Si823Hx mang lại tuổi thọ dài hơn và độ tin cậy cao hơn đáng kể so với các bộ điều khiển cổng ghép quang.
Lớp ô tô có sẵn. Các sản phẩm này được chế tạo bằng cách sử dụng các quy trình dành riêng cho ô tô ở tất cả các bước trong quy trình sản xuất để đảm bảo độ bền và độ sai sót thấp cần thiết cho các ứng dụng ô tô.
Chú phổ biến: si823h8bd-is3r, nhà sản xuất, nhà cung cấp si823h8bd-is3r của Trung Quốc
Một cặp
SI823H8CB-IS1RTiếp theo
SI823H8BB-IS1RGửi yêu cầu
Bạn cũng có thể thích







